Het testen van een transistor omvat verschillende methoden om een goede functionaliteit te garanderen. Een veelgebruikte methode is het gebruik van een multimeter in de diodetestmodus. Om een bipolaire junctietransistor (BJT) te testen, plaatst u de multimetersondes op de basis- en collectordraden en observeert u de spanningsval. Vervolgens keert u de sondes om en controleert u de andere kruising (basis-emitter). Een goede werking toont een spanningsval van ongeveer 0,6 V tot 0,7 V voor silicium BJT’s in één richting en een hoge weerstand of open circuit in de omgekeerde richting. Bij veldeffecttransistors (FET’s) meet je de weerstand tussen de gate- en source/drain-aansluitingen om te controleren of de geleidingspaden goed zijn.
Bepalen of een transistor defect is, omvat een paar indicatoren. Met behulp van een multimeter in de diodetestmodus kunt u elk knooppunt (basis-emitter, basis-collector voor BJT’s; gate-source, gate-drain voor FET’s) controleren op kortsluiting of open circuits. Een transistor is waarschijnlijk defect als beide richtingen een lage weerstand of continuïteit vertonen, wat duidt op kortsluiting. Bovendien kan het gebruik van een transistortester gedetailleerdere metingen van versterking en lekkage opleveren, waardoor defecte transistors kunnen worden geïdentificeerd die onverwachte metingen of geen reactie vertonen tijdens het testen.
Er zijn twee primaire methoden voor het testen van transistors: statische en dynamische tests. Bij statische tests wordt gebruik gemaakt van een multimeter of transistortester om de DC-parameters van de transistor te meten, zoals voorwaartse spanningsdalingen en weerstandswaarden tussen aansluitingen. Dynamische tests omvatten het toepassen van verschillende signalen op de aansluitingen van de transistor om de respons ervan te observeren, waarbij parameters zoals versterking, frequentierespons en schakelkarakteristieken worden beoordeeld. Beide methoden zijn essentieel voor uitgebreide tests om een goede werking te garanderen en fouten nauwkeurig te diagnosticeren.
Het testen van een kortgesloten transistor vereist zorgvuldige observatie en diagnostische hulpmiddelen. Controleer met een multimeter in de diodetestmodus elke kruising (basis-emitter, basis-collector voor BJT’s; gate-source, gate-drain voor FET’s) op onverwacht lage weerstand of continuïteit in beide richtingen. Een kortgesloten transistor zal doorgaans een lage weerstand of bijna nulwaarde vertonen in beide richtingen over de getroffen kruispunten. Bovendien kan het gebruik van een transistortester of oscilloscoop helpen bij het bevestigen van abnormaal gedrag of het uitblijven van een verwachte respons tijdens dynamische tests, wat wijst op een kortsluiting of een interne fout in de transistor.