Om vast te stellen of een transistor kortgesloten of open is, zijn verschillende testmethoden nodig, afhankelijk van het vermoedelijke type fout. Om te controleren op een kortgesloten transistor, kunt u een multimeter gebruiken in de diodecontrolemodus of weerstandsmodus. In de diodecontrolemodus plaatst u de multimetersondes over de collector-basis- en emitter-basisovergangen van de transistor. Als de transistor wordt kortgesloten, geeft de multimeter doorgaans een zeer lage weerstandswaarde weer (bijna nul ohm), wat wijst op een directe verbinding tussen de aansluitingen.
In de weerstandsmodus zou u ook een lage weerstandswaarde op deze kruispunten moeten zien, wat de kortsluiting bevestigt.
Aan de andere kant, om een open transistor te identificeren (waarbij de transistor helemaal niet geleidt), gebruikt u de diodecontrolemodus van de multimeter over dezelfde kruispunten (collector-basis en emitter-basis). In dit geval zou een gezonde transistor een diode-achtige spanningsval moeten vertonen (ongeveer 0,6 tot 0,7 volt voor siliciumtransistors) in één richting en een hoge weerstand of open circuit in de omgekeerde richting.
Als u geen meetwaarde of een zeer hoge weerstand in beide richtingen krijgt, geeft dit aan dat de transistorovergangen mogelijk open zijn, wat betekent dat er geen stroom doorheen kan stromen.
Om te bepalen of een transistor defect is, wordt deze meestal getest met een multimeter met behulp van twee primaire methoden: de diodecontrolemodus en de hFE-meetmodus (DC-stroomversterking).
In de diodecontrolemodus kunt u elke verbinding (collectorbasis en emitterbasis) testen om er zeker van te zijn dat de transistor de verwachte voorwaartse spanningsval vertoont (ongeveer 0,6 tot 0,7 volt voor siliciumtransistors) en een hoge weerstand of een open circuit in tegengestelde richting.
Als de transistor niet de verwachte diodekarakteristieken vertoont of als beide richtingen een hoge weerstand vertonen, kan deze defect zijn.
Een andere methode is het meten van de hFE (gelijkstroomversterking) van de transistor met behulp van de multimeter in hFE-modus (indien beschikbaar).
Deze modus past een kleine stroom toe op de basis van de transistor en meet de verhouding tussen collectorstroom en basisstroom (hFE). Een gezonde transistor heeft doorgaans een hFE-waarde binnen het gespecificeerde bereik (dat varieert afhankelijk van het transistortype en -model). Als de hFE-meting aanzienlijk afwijkt van de verwachte waarde of als deze sterk fluctueert, kan dit duiden op een defecte transistor.
Om definitief te bevestigen dat een transistor defect is, kunt u aanvullende tests of vergelijkingen uitvoeren.
Vergelijk bijvoorbeeld de metingen van de vermoedelijke transistor met een bekende goede transistor van hetzelfde type en model. Als er significante verschillen zijn in de meetwaarden tussen de twee transistors, duidt dit er sterk op dat de vermoedelijke transistor defect is. Inspecteer bovendien de transistor visueel op fysieke schade zoals scheuren, brandwonden of corrosie, wat kan duiden op interne schade die de prestaties beïnvloedt.
Door deze methoden te combineren – diodecontrole, hFE-meting, vergelijking met een bekende goede transistor en visuele inspectie – kunt u effectief bevestigen of een transistor defect is en vervangen moet worden.