Il substrato nei FET (transistor a effetto di campo) e nei MOSFET (transistor a effetto di campo a semiconduttore a ossido di metallo) svolge un ruolo cruciale nel loro funzionamento e prestazioni. Nei MOSFET, il substrato è tipicamente il materiale di silicio su cui è fabbricato il transistor. Il substrato è drogato in un tipo specifico (tipo n o tipo p) e funge da fondamento o base della struttura del transistor. Fornisce supporto meccanico per i componenti del transistor e funge anche da elettrodo backgate nei MOSFET.
Nei MOSFET, lo scopo del substrato è principalmente quello di fornire una base per la struttura del transistor e di fungere da elettrodo di gate posteriore. Il substrato è tipicamente drogato per essere silicio di tipo n o di tipo p, a seconda che il MOSFET sia un NMOS (MOSFET a canale n) o PMOS (MOSFET a canale p). Il substrato è isolato elettricamente dalla regione del canale e solitamente è collegato alla tensione più negativa nel circuito (spesso messa a terra nei circuiti digitali) per controllare la tensione di soglia e garantire il corretto funzionamento del transistor.
Il substrato di un transistor si riferisce al materiale su cui è costruito il transistor. Nei MOSFET, il substrato è tipicamente un wafer di silicio drogato con impurità per creare le caratteristiche elettriche desiderate (tipo n o tipo p). Il substrato fornisce supporto strutturale per i componenti del transistor e svolge anche un ruolo essenziale nel comportamento elettrico del transistor, in particolare nei MOSFET dove funge da elettrodo di gate posteriore.
Nei JFET (transistor a effetto di campo a giunzione), il substrato svolge un ruolo simile a quello dei MOSFET ma con alcune differenze nella costruzione. I JFET sono tipicamente costruiti su un substrato semiconduttore (spesso silicio) con una regione di canale tra due regioni fortemente drogate chiamate source e drain. Il substrato nei JFET aiuta a supportare il canale e funge da base per creare le caratteristiche elettriche necessarie per controllare il flusso di corrente attraverso il dispositivo.
Negli NMOS (MOSFET a canale n) e PMOS (MOSFET a canale p), il substrato si riferisce al materiale di silicio su cui è fabbricato il transistor. Per i transistor NMOS, il substrato è tipicamente silicio di tipo p, mentre per i transistor PMOS, il substrato è silicio di tipo n. Questo drogaggio del substrato determina il tipo di transistor (NMOS o PMOS) e influenza le sue caratteristiche elettriche, come la tensione di soglia e il tipo di conduttività. Il substrato nei transistor NMOS e PMOS fornisce le basi strutturali e le caratteristiche elettriche necessarie per il funzionamento di questi tipi di MOSFET nei circuiti integrati e altri dispositivi elettronici.