In un MOSFET (transistor a effetto di campo a semiconduttore a ossido di metallo), i terminali di drain e source possono essere intercambiabili in termini di posizionamento fisico sul die del semiconduttore. Questa flessibilità deriva dal fatto che il funzionamento del MOSFET è controllato principalmente dalla tensione applicata al terminale di gate rispetto al terminale di source. Il drain e il source si differenziano per le loro funzioni: il drain è dove la corrente entra o esce dal dispositivo, mentre il source è dove la corrente esce o entra, a seconda che si tratti di un MOSFET a canale N o P-channel. La direzione del flusso di corrente determina il ruolo del dispositivo come sorgente o drenaggio.
La concentrazione di droganti (impurità che determinano la conduttività) può infatti differire tra le regioni di source e drain in un MOSFET. Questa asimmetria è tipica nella fabbricazione dei MOSFET per ottimizzare le prestazioni del dispositivo. Tuttavia, l’intercambiabilità di drain e source in termini di posizioni fisiche non implica che le loro concentrazioni di drogante debbano essere identiche. Le variazioni nella concentrazione del drogante sono spesso intenzionali per ottenere caratteristiche elettriche specifiche, come migliorare il flusso di corrente o ridurre al minimo le correnti di dispersione.
In un transistor a effetto di campo a giunzione (JFET), i terminali di source e drain non sono intercambiabili a causa della costruzione fisica e del drogaggio del materiale semiconduttore. I JFET sono tipicamente dispositivi simmetrici, il che significa che la sorgente e il drenaggio sono equivalenti in termini di struttura e concentrazione di drogaggio. Tuttavia, i loro ruoli sono definiti dalle condizioni di polarizzazione: la sorgente è il punto in cui la corrente entra nel dispositivo e lo scarico è il punto in cui esce.
Il flusso di corrente in un MOSFET va dal terminale di drain al terminale di source o viceversa, a seconda del tipo di dispositivo (canale N o canale P) e delle condizioni di polarizzazione applicate al terminale di gate. Il controllo del flusso di corrente si ottiene variando la tensione applicata al gate rispetto al terminale source, che modula la conduttività del canale tra source e drain.
Se i terminali di drain e source di un MOSFET vengono accidentalmente cortocircuitati insieme, ciò può portare a un funzionamento improprio o incontrollato del dispositivo. Il cortocircuito del drain e del source bypassa di fatto il normale meccanismo di controllo fornito dalla tensione di gate. Questa situazione può causare un flusso di corrente eccessivo attraverso il dispositivo, causando potenzialmente surriscaldamento, danni o addirittura la distruzione del MOSFET. Una corretta progettazione e gestione dei circuiti sono essenziali per prevenire tali cortocircuiti accidentali e garantire un funzionamento affidabile dei MOSFET nei circuiti elettronici.