I transistor NMOS (semiconduttore a ossido di metallo a canale N) e PMOS (semiconduttore a ossido di metallo a canale P) sono tipi di MOSFET (transistor a effetto di campo a semiconduttore a ossido di metallo) con diversi tipi di drogaggio del canale. I transistor NMOS hanno un canale di tipo N (conduzione di elettroni), mentre i transistor PMOS hanno un canale di tipo P (conduzione di lacune). La tecnologia CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) utilizza sia i transistor NMOS che PMOS in modo complementare per ottenere un basso consumo energetico e una migliore immunità al rumore nei circuiti integrati.
La logica NMOS utilizza solo transistor NMOS per implementare porte e circuiti logici. Si basa sul comportamento dei transistor NMOS per abbassare le tensioni di uscita verso terra (basso logico). La logica CMOS, invece, utilizza sia transistor NMOS che PMOS disposti in modo complementare. Sfrutta i transistor NMOS per abbassare le tensioni di uscita e i transistor PMOS per aumentare le tensioni di uscita verso la tensione di alimentazione (logica alta), con conseguente consumo energetico inferiore rispetto alla logica NMOS.
Nmosfet (MOSFET a canale N) e Pmosfet (MOSFET a canale P) si riferiscono al tipo di MOSFET basato sul drogaggio della regione del canale. Nmosfet ha un canale di tipo N e conduce gli elettroni quando viene applicata una tensione positiva al gate rispetto alla sorgente. Pmosfet ha un canale di tipo P e conduce buchi quando viene applicata una tensione negativa al gate rispetto alla sorgente. Presentano caratteristiche elettriche diverse e vengono utilizzati in diverse applicazioni a seconda dei requisiti del circuito.
La tecnologia BJT (Bipolar Junction Transistor) e le tecnologie NMOS e CMOS sono tecnologie di transistor fondamentalmente diverse. BJT utilizza giunzioni bipolari (giunzioni PN) per controllare il flusso di corrente attraverso il dispositivo, mentre le tecnologie NMOS e CMOS utilizzano principi di effetto di campo per controllare la corrente attraverso un canale a semiconduttore. La tecnologia BJT è più vecchia e in genere consuma più energia rispetto alla tecnologia CMOS, ampiamente utilizzata nei moderni circuiti integrati grazie al minor consumo energetico e alla scalabilità.
CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) è una tecnologia utilizzata per implementare circuiti integrati in cui vengono impiegati sia transistor NMOS che PMOS. La tecnologia CMOS sfrutta il comportamento complementare dei transistor NMOS e PMOS per ottenere un basso consumo energetico e un’elevata immunità al rumore. MOSFET (transistor a effetto di campo a ossido di metallo) è l’elemento base della tecnologia CMOS, riferendosi specificamente al tipo di transistor utilizzato nei circuiti CMOS.