Quelles sont les possibilités de connexion des transistors ?

Les transistors peuvent être connectés dans diverses configurations pour réaliser différentes fonctions de circuit, chacune ayant ses propres avantages et applications. Les deux types de transistors les plus courants, les transistors à jonction bipolaire (BJT) et les transistors à effet de champ (FET), peuvent être connectés de différentes manières. Voici quelques-unes des manières possibles de connecter des transistors :

Configurations de transistors à jonction bipolaire (BJT) :

1. Configuration de l’émetteur commun :

  • Dans la configuration de l’émetteur commun, le terminal de l’émetteur est commun entre l’entrée et la sortie. Cette configuration fournit un gain de tension et un gain de puissance élevé. Il est couramment utilisé dans les circuits amplificateurs.

2. Configuration commune du collecteur (émetteur suiveur) :

  • Dans la configuration du collecteur commun, le terminal du collecteur est commun entre l’entrée et la sortie. Cette configuration fournit un gain de courant et agit comme un tampon de tension. Il est souvent utilisé pour adapter l’impédance entre les étages d’un amplificateur.

3. Configuration de base commune :

  • Dans la configuration de base commune, le terminal de base est commun entre l’entrée et la sortie. Cette configuration fournit un gain de courant et convient aux applications haute fréquence.

4. Paire Darlington :

  • La paire Darlington se compose de deux transistors connectés dans une configuration de collecteur commun. Il fournit un gain de courant élevé et est souvent utilisé pour amplifier les signaux faibles.

5. Configuration Cascode :

  • La configuration cascode consiste à connecter deux transistors, l’un au-dessus de l’autre, pour obtenir une combinaison de gain de tension et de courant. Il est utilisé pour améliorer la bande passante et réduire l’effet de la capacité dans les applications haute fréquence.

Configurations de transistors à effet de champ (FET) :

1. Configuration de la source commune :

  • Dans la configuration source commune, le terminal source est commun entre l’entrée et la sortie. Cette configuration fournit un gain de tension et est couramment utilisée dans les circuits amplificateurs.

2. Configuration de drain commun (suiveur source) :

  • Dans la configuration de drain commun, la borne de drain est commune entre l’entrée et la sortie. Cette configuration fournit un gain de courant et agit comme un tampon de tension. Il est souvent utilisé pour l’adaptation d’impédance.

3. Configuration de porte commune :

  • Dans la configuration de porte commune, la borne de porte est commune entre l’entrée et la sortie. Cette configuration fournit un gain de courant et convient aux applications haute fréquence.

4. Configuration Cascode :

  • Semblable à la configuration cascode BJT, le cascode FET implique la connexion de deux FET pour obtenir une combinaison de gain de tension et de courant. Il est utilisé pour améliorer la bande passante et réduire l’effet de la capacité dans les applications haute fréquence.

Configurations complémentaires :

1. Configuration push-pull :

  • La configuration push-pull implique la connexion de deux transistors (soit des BJT, soit des FET) dans des configurations complémentaires pour obtenir les moitiés positives et négatives d’une forme d’onde. Il est couramment utilisé dans les circuits amplificateurs de puissance.

2. Configuration de symétrie complémentaire :

  • La configuration de symétrie complémentaire implique l’utilisation de transistors NPN et PNP pour amplifier les moitiés positives et négatives d’une forme d’onde. Il est couramment utilisé dans les circuits amplificateurs audio.

Ce ne sont là que quelques exemples de la façon dont les transistors peuvent être connectés dans diverses configurations pour réaliser des fonctions de circuit spécifiques. Le choix de la configuration dépend de l’application souhaitée, qu’il s’agisse d’amplification, de commutation ou d’autres tâches de traitement du signal. Les ingénieurs sélectionnent les configurations en fonction de facteurs tels que les exigences de gain, l’adaptation d’impédance et la réponse en fréquence.

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