Le silicium n’émet pas de lumière comme les autres LED, principalement parce qu’il s’agit d’un semi-conducteur à bande interdite indirecte. Dans un matériau à bande interdite indirecte comme le silicium, la différence d’énergie (bande interdite) entre la bande de valence (où résident normalement les électrons) et la bande de conduction (où les électrons sont libres de se déplacer) est telle que lorsque les électrons passent de la bande de conduction à la bande de valence , ils n’émettent pas de photons directement. Au lieu de cela, l’énergie est généralement libérée sous forme de phonons (vibrations quantifiées du réseau cristallin), entraînant une émission de chaleur plutôt que de lumière. Cette propriété rend le silicium inefficace pour générer une émission de lumière directement à partir des transitions électroniques, ce qui est essentiel au fonctionnement des LED (Light Emitting Diode).
Le silicium n’émet pas de lumière en raison de sa structure en bande. Dans un semi-conducteur à bande interdite directe tel que l’arséniure de gallium (GaAs) ou le nitrure de gallium (GaN), la différence d’énergie entre la bande de conduction et la bande de valence est telle que lorsqu’un électron se recombine avec un trou (une lacune dans la bande de valence), l’énergie est émis sous forme de photons. Ce processus de recombinaison directe permet aux matériaux à bande interdite directe d’émettre de la lumière efficacement lorsqu’ils sont stimulés électriquement, ce qui est crucial pour le fonctionnement des LED. En revanche, la bande interdite indirecte du silicium ne facilite pas l’émission efficace de lumière issue de la recombinaison électron-trou.
Le silicium lui-même ne produit pas de lumière dans des conditions de fonctionnement normales en raison de sa nature de bande interdite indirecte. Bien que le silicium puisse émettre de faibles émissions de lumière dans certaines conditions, par exemple dans des structures très sollicitées ou à basses températures, ces émissions sont généralement très faibles et inefficaces par rapport aux matériaux à bande interdite directe comme le GaAs ou le GaN. Par conséquent, le silicium n’est pas pratique pour une utilisation dans les LED ou d’autres applications nécessitant une émission lumineuse efficace.
Le silicium et le germanium ne sont pas couramment utilisés dans les LED, principalement en raison de leurs propriétés de bande interdite indirecte. Les LED nécessitent des matériaux dotés d’une bande interdite directe pour émettre efficacement de la lumière lorsque les électrons se recombinent avec les trous. Les matériaux à bande interdite directe comme le GaAs, le GaN et les composés associés sont préférés pour les LED car ils peuvent convertir l’énergie électrique directement en photons avec un rendement élevé. Le silicium et le germanium, étant des matériaux à bande interdite indirecte, ne présentent pas d’émission lumineuse efficace et ne conviennent donc pas aux applications LED où une luminosité et une efficacité élevées sont essentielles.
Le silicium n’est généralement pas utilisé pour fabriquer des sources optiques telles que des LED ou des diodes laser en raison de sa nature de bande interdite indirecte. Comme mentionné précédemment, le silicium n’émet pas efficacement de la lumière lorsque les électrons se recombinent avec les trous de sa structure cristalline. Cette inefficacité rend le silicium moins adapté aux applications nécessitant la génération de lumière, telles que les LED et les lasers. Au lieu de cela, les matériaux avec des bandes interdites directes, tels que GaAs, GaN et leurs alliages, sont préférés pour les sources optiques car ils peuvent émettre de la lumière efficacement et sont capables d’atteindre la luminosité et la fiabilité élevées nécessaires pour les applications pratiques dans les domaines de l’éclairage, des écrans, des communications et de la détection. .
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