¿Por qué un BJT se llama fuente de corriente controlada?
Un BJT (transistor de unión bipolar) se denomina fuente de corriente controlada por corriente porque su corriente de colector (I_C) está controlada principalmente por la corriente de base (I_B). En una configuración de transistor NPN, por ejemplo, un aumento en la corriente de base provoca un aumento proporcional en la corriente del colector debido al proceso de amplificación interna del transistor. Esta relación significa que el BJT actúa como una fuente de corriente donde la corriente del colector está determinada por la cantidad de corriente base suministrada, lo que la convierte en una fuente de corriente controlada por corriente.
Una fuente de corriente controlada es un tipo de circuito o dispositivo electrónico que mantiene una salida de corriente constante independientemente de los cambios en la resistencia de la carga u otras condiciones externas. Lo logra ajustando su impedancia interna para garantizar una salida de corriente estable. Las fuentes de corriente controladas son esenciales en aplicaciones donde es necesaria una regulación de corriente precisa, como en circuitos de sensores, procesamiento de señales analógicas y amplificadores en modo de corriente.
Un FET (transistor de efecto de campo) se denomina dispositivo controlado por corriente porque su corriente de drenaje (I_D) está controlada por el voltaje de fuente de puerta (V_GS). En un FET, variar el voltaje puerta-fuente modula la conductividad del canal entre los terminales fuente y drenaje, controlando así la cantidad de corriente que fluye a través del dispositivo. Esta regulación de corriente controlada por voltaje distingue a los FET de los BJT, que dependen principalmente de la corriente base para controlar la corriente del colector.
Un BJT no se considera un dispositivo controlado por voltaje principalmente porque su corriente de salida (corriente del colector) está controlada predominantemente por la corriente de entrada (corriente base). Si bien el voltaje base-emisor (V_BE) influye en la corriente base (I_B) hasta cierto punto, el factor clave que determina la corriente del colector (I_C) es la corriente base misma. Por lo tanto, los BJT se clasifican como dispositivos controlados por corriente en lugar de dispositivos controlados por voltaje como los FET, donde la corriente de salida (corriente de drenaje) está controlada principalmente por el voltaje de fuente de puerta (V_GS).
Un BJT se denomina dispositivo bipolar porque opera con ambos portadores de carga mayoritarios (electrones y huecos) que contribuyen a su funcionamiento. En un transistor NPN, por ejemplo, el flujo de corriente se produce debido a los movimientos de los electrones (portadores mayoritarios en las regiones del emisor y del colector) y de los huecos (portadores mayoritarios en la región de la base). Este mecanismo de doble portador distingue a los BJT de los dispositivos unipolares como los FET, que dependen predominantemente de un tipo de portador de carga (electrones o huecos) para la conducción de corriente. El término «bipolar» refleja esta característica de los BJT que involucran ambos tipos de portadores de carga en su operación.