En estos temas entenderemos cuál es la diferencia entre MOSFET y HEMT.
Definición y uso de Mosfet
Mosfet (transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico, pronunciado maws-feht) es un tipo especial de transistor de efecto de campo (fet) que funciona variando electrónicamente el ancho del canal a lo largo del cual fluye el portador de carga (electrón o agujero s). cuanto más amplio sea el canal, mejor será el rendimiento del dispositivo. el portador de carga introduce el canal en su origen y sale por el desagüe. el ancho del canal está controlado por un voltaje en un electrodo llamado puerta, que está ubicado físicamente entre la fuente y el drenaje y está aislado del canal por una capa muy delgada de óxido metálico.
Hay dos formas en que puede funcionar el mosfet. el primero conocido como modo de agotamiento. cuando no hay voltaje a través de la puerta, el canal muestra su conductancia máxima. A medida que aumenta el voltaje de la puerta (ya sea positivo o negativo, dependiendo de si el canal está hecho de material semiconductor tipo p o tipo n), la conductividad del canal disminuye. La segunda forma en que puede funcionar el Mosfet se denomina modo adicional. cuando no hay voltaje en la puerta, no hay canales y el dispositivo no funciona. El canal se produce aplicando voltaje a la puerta. cuanto mayor sea el voltaje de la puerta, mejor funcionará el dispositivo.
Mosfet tiene ciertas ventajas sobre la unión de unión convencional, o jfet. debido a que la puerta está aislada de la línea eléctrica, no hay flujo de corriente entre la puerta y el canal, sin importar el voltaje de la puerta (siempre que no sea tan grande que cause daño físico a la capa de óxido metálico). por tanto, el MOSFET tiene una impedancia práctica ilimitada. esto hace que MOSFET sea útil para amplificadores de potencia. El dispositivo también es adecuado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad. Algunos circuitos integrados (ICS) contienen pequeños mosfets y se utilizan en computadoras.
Debido a que la capa de óxido es muy delgada, el MOSFET es susceptible a sufrir daños permanentes por carga electrostática. Incluso una pequeña acumulación electrostática puede destruir los MOSFET de forma permanente. En señales de radiofrecuencia (rf) débiles, los dispositivos MOSFET generalmente no funcionan tan bien como otros tipos de FET.
Definición y uso de Hemt
Los electrones de transistores de alta movilidad (hemt), también conocidos como fet de heteroestructura (hfet) o fet dopado con modulación (modfet), son transistores de efecto de campo que combinan las uniones entre dos materiales con diferente banda prohibida (es decir, heteroína). El canal no es un área dopada (como es común en los MOSFET). La combinación de materiales comúnmente utilizados es gaas con algas, aunque existe una amplia variación, dependiendo de la aplicación del dispositivo. Los dispositivos que incorporan más indio generalmente exhiben un mejor rendimiento de alta frecuencia, mientras que en los últimos años, los montículos de nitruro de galio han llamado la atención debido a su alto rendimiento energético.
Al igual que otros fets, los hemts se utilizan en circuitos integrados como interruptor de encendido y apagado digital. Los Fets también se pueden utilizar como amplificadores para una gran cantidad de corrientes utilizando pequeños voltajes como señales de control. Ambos usos son posibles gracias a las características únicas del voltaje de corriente fetal. Los transistores Hemt pueden funcionar a frecuencias más altas que los transistores ordinarios, hasta frecuencias de ondas milimétricas, y se utilizan en productos de alta frecuencia como teléfonos móviles, receptores de televisión por satélite, convertidores de voltaje y equipos de radar. Se utilizan ampliamente en receptores de satélite, en amplificadores de baja potencia y en la industria de defensa.
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