Un transistor de unión bipolar (BJT) y un transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores, pero operan según principios diferentes y tienen características distintas. Un BJT es un dispositivo controlado por corriente que se basa en el movimiento de portadores de carga (electrones y huecos) dentro de un material semiconductor. Consta de tres capas de material semiconductor (P-N-P o N-P-N) y funciona controlando el flujo de corriente entre sus terminales emisor y colector utilizando una pequeña corriente aplicada al terminal base.
Por el contrario, un MOSFET es un dispositivo controlado por voltaje basado en la modulación de la conductividad de un canal semiconductor mediante un campo eléctrico. Cuenta con un electrodo de compuerta separado del canal por una fina capa de óxido (de ahí el nombre Semiconductor de óxido metálico), que actúa como aislante. Al variar el voltaje aplicado al terminal de compuerta, el MOSFET puede controlar el flujo de corriente entre sus terminales de fuente y drenaje. Los MOSFET se utilizan comúnmente para conmutación y amplificación de alta velocidad en circuitos digitales y analógicos debido a su alta impedancia de entrada y bajo consumo de energía.
El término «transistor» se utiliza a menudo como término general para referirse tanto a los BJT como a los MOSFET, que son los dos tipos principales de transistores ampliamente utilizados en electrónica. Si bien tanto los BJT como los MOSFET son capaces de realizar funciones de amplificación y conmutación, sus principios operativos, construcción y características de rendimiento difieren significativamente. Los BJT son conocidos por sus capacidades de amplificación actuales y su impedancia de entrada relativamente más baja en comparación con los MOSFET. Los MOSFET, por otro lado, ofrecen alta impedancia de entrada, funcionamiento con poco ruido y características de conmutación eficientes.
La principal diferencia entre un BJT y un transistor de efecto de campo (FET), que incluye los MOSFET, radica en su modo de funcionamiento. Los BJT son dispositivos controlados por corriente, donde la corriente base controla el flujo de corriente entre el emisor y el colector. Los FET, incluidos los MOSFET, son dispositivos controlados por voltaje, donde el voltaje de la puerta-fuente controla el flujo de corriente entre los terminales de fuente y drenaje a través del canal. Esta diferencia fundamental en el mecanismo de control conduce a variaciones en características como la impedancia de entrada, la disipación de potencia y la velocidad de operación entre BJT y FET.
El término «transistor simple» normalmente se refiere a los BJT en comparación con la estructura y el funcionamiento más complejos de los MOSFET. Los BJT son conocidos por su construcción sencilla con tres capas de semiconductores y configuraciones de polarización simples. Históricamente se han utilizado ampliamente en circuitos analógicos para aplicaciones de amplificación y conmutación. Los MOSFET, aunque también son transistores, se consideran más avanzados debido a su capacidad para operar a frecuencias más altas, menor consumo de energía y compatibilidad con la tecnología de circuitos integrados. Por lo tanto, la diferencia entre un BJT y un «transistor simple» a menudo se refiere a la estructura básica y las aplicaciones tradicionales del BJT en comparación con las características avanzadas y la versatilidad de los MOSFET en la electrónica moderna.
