El sustrato en los FET (transistores de efecto de campo) y MOSFET (transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico) desempeña un papel crucial en su funcionamiento y rendimiento. En los MOSFET, el sustrato suele ser el material de silicio sobre el que se fabrica el transistor. El sustrato está dopado con un tipo específico (ya sea tipo n o tipo p) y sirve como fundamento o base de la estructura del transistor. Proporciona soporte mecánico a los componentes del transistor y también actúa como electrodo de puerta trasera en los MOSFET.
En los MOSFET, el propósito del sustrato es principalmente proporcionar una base para la estructura del transistor y actuar como electrodo de puerta trasera. El sustrato normalmente está dopado para que sea silicio tipo n o tipo p, dependiendo de si el MOSFET es un NMOS (MOSFET de canal n) o un PMOS (MOSFET de canal p). El sustrato está aislado eléctricamente de la región del canal y generalmente está conectado al voltaje más negativo del circuito (a menudo a tierra en los circuitos digitales) para controlar el voltaje umbral y garantizar el funcionamiento adecuado del transistor.
El sustrato de un transistor se refiere al material sobre el que está construido el transistor. En los MOSFET, el sustrato suele ser una oblea de silicio que ha sido dopada con impurezas para crear las características eléctricas deseadas (tipo n o tipo p). El sustrato proporciona soporte estructural para los componentes del transistor y también desempeña un papel esencial en el comportamiento eléctrico del transistor, particularmente en los MOSFET, donde sirve como electrodo de puerta trasera.
En los JFET (transistores de efecto de campo de unión), el sustrato desempeña un papel similar al de los MOSFET, pero con algunas diferencias en la construcción. Los JFET normalmente se construyen sobre un sustrato semiconductor (a menudo silicio) con una región de canal entre dos regiones fuertemente dopadas llamadas fuente y drenaje. El sustrato de los JFET ayuda a soportar el canal y sirve como base para crear las características eléctricas necesarias para controlar el flujo de corriente a través del dispositivo.
En NMOS (MOSFET de canal n) y PMOS (MOSFET de canal p), el sustrato se refiere al material de silicio sobre el que se fabrica el transistor. Para los transistores NMOS, el sustrato suele ser silicio de tipo p, mientras que para los transistores PMOS, el sustrato es silicio de tipo n. Este dopaje del sustrato determina el tipo de transistor (NMOS o PMOS) e influye en sus características eléctricas, como el voltaje umbral y el tipo de conductividad. El sustrato de los transistores NMOS y PMOS proporciona la base estructural y las características eléctricas necesarias para el funcionamiento de estos tipos de MOSFET en circuitos integrados y otros dispositivos electrónicos.