Der Hauptunterschied zwischen BJT (Bipolar Junction Transistor) und FET (Feldeffekttransistor) liegt in ihren grundlegenden Funktionsprinzipien und ihrem Aufbau. BJTs steuern den Stromfluss durch die Injektion und Diffusion von Ladungsträgern (Elektronen und Löcher) zwischen ihren Emitter-, Basis- und Kollektoranschlüssen. Basierend auf der Dotierung ihrer Halbleitermaterialien werden sie in NPN- und PNP-Typen eingeteilt. Im Gegensatz dazu steuern FETs den Stromfluss, indem sie die Leitfähigkeit zwischen ihren Source- und Drain-Anschlüssen mithilfe eines elektrischen Felds modulieren, das durch die am Gate-Anschluss angelegte Spannung erzeugt wird. Dieser spannungsgesteuerte Betrieb unterscheidet FETs von BJTs, bei denen es sich um stromgesteuerte Geräte handelt.
Der Hauptunterschied zwischen BJT und FET ist ihre Funktionsweise: BJTs steuern den Strom durch Strominjektion in den Basisanschluss, während FETs den Strom durch ein an den Gate-Anschluss angelegtes elektrisches Feld steuern.
BJTs sind in Schaltanwendungen typischerweise schneller als FETs, da sie aufgrund der direkten Injektion und Diffusion von Ladungsträgern zwischen Anschlüssen höhere Stromdichten und schnellere Schaltgeschwindigkeiten erreichen können. Diese Eigenschaft macht BJTs vorteilhaft für Anwendungen, die schnelles Schalten und Hochfrequenzbetrieb erfordern, beispielsweise in analogen Schaltkreisen und bestimmten digitalen Schaltkreisen.
Ein Transistor ist ein weit gefasster Begriff, der sowohl BJTs als auch FETs umfasst. Der Hauptunterschied zwischen einem Transistor und einem BJT liegt insbesondere in ihrer Struktur und Funktionsweise. Unter einem Transistor versteht man jedes Halbleiterbauelement, das elektrische Signale verstärken oder schalten kann. Als eine Art Transistor steuern BJTs den Stromfluss durch Variation des Basisstroms, was sich auf den Kollektor-Emitter-Strom auswirkt. Dieser Steuermechanismus unterscheidet BJTs von anderen Transistortypen wie FETs, die durch spannungsgesteuerte Modulation des Stromflusses arbeiten.
FET steht für Feldeffekttransistor. Es handelt sich um einen Transistortyp, bei dem der Stromfluss zwischen Source- und Drain-Anschlüssen durch ein elektrisches Feld gesteuert wird, das durch die am Gate-Anschluss angelegte Spannung erzeugt wird. Zu den FETs gehören verschiedene Typen wie MOSFETs (Metalloxid-Halbleiter-FETs) und JFETs (Junction Field-Effect Transistors), die jeweils aufgrund ihrer Struktur und Funktionsprinzipien spezifische Eigenschaften und Anwendungen aufweisen.