NMOS-Transistoren (N-Kanal-Metalloxidhalbleiter) und PMOS-Transistoren (P-Kanal-Metalloxidhalbleiter) sind Arten von MOSFETs (Metalloxidhalbleiter-Feldeffekttransistoren) mit unterschiedlichen Kanaldotierungstypen. NMOS-Transistoren haben einen Kanal vom N-Typ (Elektronenleitung), während PMOS-Transistoren einen Kanal vom P-Typ (Lochleitung) haben. Die CMOS-Technologie (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) nutzt sowohl NMOS- als auch PMOS-Transistoren komplementär, um einen niedrigen Stromverbrauch und eine verbesserte Störfestigkeit in integrierten Schaltkreisen zu erreichen.
Die NMOS-Logik verwendet ausschließlich NMOS-Transistoren zur Implementierung von Logikgattern und -schaltungen. Es beruht auf dem Verhalten von NMOS-Transistoren, die Ausgangsspannungen in Richtung Masse (logisch niedrig) herunterzuziehen. Die CMOS-Logik hingegen nutzt sowohl NMOS- als auch PMOS-Transistoren, die komplementär angeordnet sind. Es nutzt NMOS-Transistoren zum Herunterziehen der Ausgangsspannungen und PMOS-Transistoren zum Hochziehen der Ausgangsspannungen in Richtung der Versorgungsspannung (logisch hoch), was zu einem geringeren Stromverbrauch im Vergleich zur NMOS-Logik führt.
Nmosfet (N-Kanal-MOSFET) und Pmosfet (P-Kanal-MOSFET) beziehen sich auf den MOSFET-Typ basierend auf der Dotierung des Kanalbereichs. Nmosfet hat einen Kanal vom N-Typ und leitet Elektronen, wenn an das Gate relativ zur Source eine positive Spannung angelegt wird. Pmosfet hat einen P-Typ-Kanal und leitet Löcher, wenn an das Gate relativ zur Source eine negative Spannung angelegt wird. Sie weisen unterschiedliche elektrische Eigenschaften auf und werden je nach Schaltungsanforderungen in unterschiedlichen Anwendungen eingesetzt.
Die BJT-Technologie (Bipolar Junction Transistor) und die NMOS- und CMOS-Technologie sind grundsätzlich unterschiedliche Transistortechnologien. BJT verwendet bipolare Übergänge (PN-Übergänge), um den Stromfluss durch das Gerät zu steuern, während NMOS- und CMOS-Technologien Feldeffektprinzipien verwenden, um den Strom durch einen Halbleiterkanal zu steuern. Die BJT-Technologie ist älter und verbraucht typischerweise mehr Strom im Vergleich zur CMOS-Technologie, die aufgrund ihres geringeren Stromverbrauchs und ihrer Skalierbarkeit in modernen integrierten Schaltkreisen weit verbreitet ist.
CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) ist eine Technologie zur Implementierung integrierter Schaltkreise, bei der sowohl NMOS- als auch PMOS-Transistoren zum Einsatz kommen. Die CMOS-Technologie nutzt das komplementäre Verhalten von NMOS- und PMOS-Transistoren, um einen geringen Stromverbrauch und eine hohe Störfestigkeit zu erreichen. MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) ist der Grundbaustein der CMOS-Technologie und bezieht sich speziell auf den Transistortyp, der in CMOS-Schaltungen verwendet wird.