Um MOSFET (transistor de efeito de campo semicondutor de óxido metálico) é um tipo de transistor usado para amplificar ou comutar sinais eletrônicos. Ele controla o fluxo de corrente entre dois terminais (a fonte e o dreno) usando um terceiro terminal (a porta), que é isolado do canal condutor principal por uma fina camada de óxido. Quando uma tensão é aplicada à porta, ela cria um campo elétrico que modifica a condutividade do canal, permitindo ou impedindo o fluxo de corrente. Os MOSFETs são amplamente utilizados em circuitos digitais e analógicos, gerenciamento de energia e amplificação.
Um MOSFET funciona segundo o princípio de controlar a condutividade de um canal semicondutor usando um campo elétrico. Este campo é gerado pela tensão aplicada ao terminal da porta, que é separado do canal por uma fina camada isolante de dióxido de silício. A tensão da porta influencia a concentração de elétrons ou buracos no canal, regulando assim o fluxo de corrente entre os terminais fonte e dreno. A capacidade de controlar esse fluxo de corrente com corrente mínima de porta é o que torna os MOSFETs altamente eficientes e versáteis.
O e MOSFET (MOSFET de modo de aprimoramento) funciona aumentando a condutividade do canal em resposta à tensão da porta. Em um MOSFET de canal n, quando uma tensão positiva é aplicada à porta, ela atrai elétrons em direção à porta, formando um canal condutor entre a fonte e o dreno. Isso permite que a corrente flua através do dispositivo. Por outro lado, em um MOSFET de canal p, uma tensão de porta negativa atrai buracos para formar o canal condutivo. Sem a tensão da porta, o canal não é condutor, o que significa que o MOSFET normalmente está desligado.
Um exemplo de MOSFET é o IRF540N, que é um MOSFET de modo de aprimoramento de canal n comumente usado em aplicações de eletrônica de potência. Ele pode lidar com altas correntes e tensões, tornando-o adequado para circuitos de fonte de alimentação, controladores de motor e reguladores de comutação. O IRF540N é conhecido por sua baixa resistência e capacidade de comutação rápida, que melhoram a eficiência dos dispositivos em que é usado.
O efeito corporal em um MOSFET refere-se à influência da diferença de tensão entre o corpo (ou substrato) e o terminal da fonte na tensão limite do MOSFET. Quando esta diferença de tensão muda, ela altera a tensão limite, que é a tensão mínima da porta necessária para criar um canal condutor entre a fonte e o dreno. O efeito corporal pode impactar o desempenho do MOSFET, modificando as características do canal, como sua condutividade e comportamento de comutação. Este efeito é particularmente importante em circuitos integrados onde o corpo está frequentemente ligado a um potencial fixo.