Un transistor de efecto de campo (FET) no tiene características de entrada similares a los transistores de unión bipolar (BJT) porque funciona con voltaje en lugar de con corriente. En los FET, la entrada está controlada por un campo eléctrico creado por el voltaje aplicado al terminal de la puerta, que modula la conductividad del canal entre los terminales de fuente y drenaje. Esta falta de corriente de entrada da como resultado un comportamiento diferente en comparación con los BJT, donde las características de entrada están definidas por la corriente base y su relación con el voltaje base-emisor.
Los FET tienen una alta impedancia de entrada porque el terminal de la puerta está aislado del canal por una fina capa de óxido en los MOSFET o por la unión p-n con polarización inversa en los JFET. Este aislamiento significa que prácticamente no fluye corriente hacia la puerta, lo que resulta en una resistencia muy alta a la señal de entrada. La alta impedancia de entrada hace que los FET sean ideales para su uso en amplificadores y otras aplicaciones donde es importante evitar cargar la etapa anterior del circuito.
Las características de un transistor de efecto de campo (FET) incluyen una alta impedancia de entrada, que minimiza el efecto de carga en las etapas anteriores de un circuito, y una baja impedancia de salida, lo que los hace efectivos como amortiguadores. Los FET son dispositivos controlados por voltaje donde la corriente a través del canal entre la fuente y el drenaje está controlada por el voltaje aplicado a la puerta. Exhiben una región lineal donde pueden actuar como amplificadores y una región de saturación donde funcionan como interruptores. Los FET también suelen tener bajos niveles de ruido y son más estables térmicamente en comparación con los BJT.
La corriente de entrada a un transistor de efecto de campo de unión (JFET) es efectivamente cero porque la unión puerta-fuente tiene polarización inversa. En esta condición de polarización inversa, sólo una corriente de fuga muy pequeña, típicamente en el rango de nanoamperios, fluye a través de la compuerta. Esta corriente insignificante da como resultado que casi no se extraiga energía de la señal de entrada, lo que contribuye a la alta impedancia de entrada de los JFET.
Al FET se le llama Transistor de Efecto de Campo porque su funcionamiento se basa en el control del campo eléctrico. El voltaje aplicado al terminal de puerta crea un campo eléctrico que influye en la conductividad del canal semiconductor entre los terminales de fuente y drenaje. Este efecto de campo modula el flujo de corriente a través del canal, permitiendo que el FET funcione como un interruptor o amplificador electrónico. El nombre resalta el mecanismo de acción que distingue a los FET de otros tipos de transistores, como los BJT, que dependen del control de corriente.