La velocità di transistor come i BJT (transistor a giunzione bipolare) e i MOSFET (transistor a effetto di campo a semiconduttore a ossido di metallo) dipende da vari fattori, tra cui la loro costruzione, applicazione e condizioni operative. In generale, i MOSFET sono considerati più veloci dei BJT. I MOSFET hanno una capacità di ingresso inferiore e possono accendersi e spegnersi più rapidamente dei BJT grazie alla loro struttura a gate isolato, che si traduce in tempi di commutazione più rapidi e frequenze di commutazione più elevate. Questa caratteristica rende i MOSFET adatti per applicazioni di commutazione ad alta velocità come alimentatori, inverter e circuiti digitali.
I MOSFET sono in genere più efficienti dei BJT in molte applicazioni. L’efficienza dei transistor si riferisce all’efficacia con cui convertono l’energia elettrica in lavoro utile senza perdite. I MOSFET hanno una resistenza in conduzione e perdite di commutazione inferiori rispetto ai BJT, con conseguente maggiore efficienza nelle applicazioni di commutazione. Questo vantaggio in termini di efficienza è particolarmente significativo nell’elettronica di potenza, dove ridurre al minimo le perdite è fondamentale per il risparmio energetico e la riduzione della generazione di calore.
Il confronto di velocità tra BJT e MOSFET dipende dal contesto specifico e dai requisiti dell’applicazione. In generale, i MOSFET sono più veloci in termini di velocità di commutazione grazie alla minore capacità di ingresso e al meccanismo di controllo del gate. Ciò consente ai MOSFET di accendersi e spegnersi più rapidamente rispetto ai BJT, rendendoli adatti per applicazioni che richiedono commutazione rapida e funzionamento ad alta frequenza.
Confrontando MOSFET e IGBT (transistor bipolari a gate isolato), i MOSFET sono in genere più veloci. I MOSFET hanno perdite di commutazione inferiori e tempi di commutazione più rapidi rispetto agli IGBT. Ciò rende i MOSFET più adatti per applicazioni che richiedono commutazione ad alta velocità, come convertitori DC-DC, controllo motore e alcuni tipi di inverter. Gli IGBT, d’altro canto, sono più adatti per applicazioni ad alta potenza in cui sono richieste elevata gestione della corrente e robustezza, ma tendono ad avere caratteristiche di commutazione leggermente più lente rispetto ai MOSFET.