BJT’s (Bipolar Junction Transistors) worden doorgaans niet gebruikt in VLSI-ontwerpen (Very Large Scale Integration), voornamelijk vanwege hun hogere stroomverbruik en lagere schakelsnelheden in vergelijking met MOSFET’s (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors). Voor VLSI-circuits zijn miljoenen tot miljarden transistors nodig die op één enkele chip zijn geïntegreerd, en MOSFET’s blinken uit in dit domein vanwege hun lagere vermogensdissipatie per transistor en hun vermogen om op hogere snelheden te werken. MOSFET’s verbruiken minimaal stroom wanneer ze niet van toestand wisselen, waardoor ze geschikter zijn voor toepassingen die een hoge integratiedichtheid en een laag stroomverbruik vereisen, wat van cruciaal belang is in moderne VLSI-ontwerpen.
Hoewel MOSFET’s en BJT’s soortgelijke functies vervullen als elektronische schakelaars en versterkers, verschillen ze aanzienlijk in hun werkingsprincipes en kenmerken. MOSFET’s hebben over het algemeen de voorkeur boven BJT’s voor schakeltoepassingen vanwege hun superieure schakelsnelheid, lager energieverbruik en gemak van integratie in VLSI-circuits. BJT’s werken daarentegen als stroomgestuurde apparaten met een hogere vermogensdissipatie en lagere schakelsnelheden, waardoor hun geschiktheid voor snelle digitale circuits wordt beperkt die doorgaans worden aangetroffen in VLSI-ontwerpen.
MOSFET’s hebben de voorkeur boven BJT’s voor het in- en uitschakelen van gelijkstroommotoren, voornamelijk vanwege hun vermogen om hoge stroomniveaus efficiënt en zonder aanzienlijk vermogensverlies te verwerken. MOSFET’s kunnen snel worden in- en uitgeschakeld, waardoor nauwkeurige controle van de motorwerking mogelijk is en de warmtedissipatie in de transistor zelf wordt verminderd. BJT’s hebben daarentegen meer stroom nodig om hun werking te regelen en hebben hogere spanningsvallen tijdens het geleiden, wat resulteert in een groter vermogensverlies en een verminderde efficiëntie bij gebruik in motorbesturingstoepassingen.
Hoewel MOSFET’s in veel toepassingen talloze voordelen bieden ten opzichte van BJT’s, hebben ze ook enkele nadelen vergeleken met BJT’s. Eén nadeel is dat MOSFET’s doorgaans een hogere ingangscapaciteit hebben, wat de hoogfrequente prestaties kan beïnvloeden en extra overwegingen bij het circuitontwerp vereist om schakelverliezen te minimaliseren. Bovendien kunnen MOSFET’s gevoeliger zijn voor schade door elektrostatische ontlading (ESD) in vergelijking met BJT’s. Ondanks deze nadelen hebben de ontwikkelingen in de halfgeleidertechnologie de MOSFET-prestaties voortdurend verbeterd, waardoor ze de voorkeur verdienen in de meeste moderne elektronische circuits en toepassingen waar hoge efficiëntie, laag stroomverbruik en hoge schakelsnelheden cruciaal zijn.
